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FLOSFIA:コランダム構造酸化ガリウムパワー半導体のp層として利用可能な格子定数差0.3%の「コランダム構造酸化イリジウム」の作製に成功!

flosfia FLOSFIAは、京都大学・藤田静雄教授、金子健太郎助教と共同で、コランダム構造酸化ガリウム(α-Ga2O3)パワーデバイスのp層として利用可能な格子定数差0.3%の「コランダム構造酸化イリジウム(α-Ir2O3)」の作製に成功しました。 この成果は、コランダム構造酸化ガリウム(α-Ga2O3)を用いた超低損失・低コストなノーマリーオフ型パワートランジスタの実現に活路を見出す画期的なものです。 ■ 本成果の技術的な特徴、作製方法等につきましては関連ファイルをご参照ください 関連ファイル:プレスリリース 9月28日 詳細は、同社プレスリリースもご覧ください。 http://flosfia.com/news20160928/